
SI4190BDY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SI4190BDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI4190BDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI4190BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4190BDY-T1-GE3 |
Description | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO- |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 12A (Ta), 17A (Tc) 3,8W (Ta), 8,4W (Tc) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4190BDY-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 95 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4150 pF @ 50 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 8,4W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,3mohms à 10A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,77000 $ | 4,77 $ |
| 10 | 3,09200 $ | 30,92 $ |
| 100 | 2,13240 $ | 213,24 $ |
| 500 | 1,72220 $ | 861,10 $ |
| 1 000 | 1,64684 $ | 1 646,84 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,44776 $ | 3 619,40 $ |
| 5 000 | 1,35968 $ | 6 798,40 $ |
| 7 500 | 1,34545 $ | 10 090,88 $ |

