
SI4178DY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4178DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4178DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4178DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4178DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 12A 8SO |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 27 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 12 A (Tc) 2,4W (Ta), 5W (Tc) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4178DY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 21mohms à 8,4A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,8V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±25V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 405 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2,4W (Ta), 5W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,51000 $ | 1,51 $ |
| 10 | 0,93800 $ | 9,38 $ |
| 100 | 0,61140 $ | 61,14 $ |
| 500 | 0,47134 $ | 235,67 $ |
| 1 000 | 0,42621 $ | 426,21 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,37732 $ | 943,30 $ |
| 5 000 | 0,34709 $ | 1 735,45 $ |
| 7 500 | 0,33169 $ | 2 487,67 $ |
| 12 500 | 0,31439 $ | 3 929,88 $ |
| 17 500 | 0,30414 $ | 5 322,45 $ |
| 25 000 | 0,30182 $ | 7 545,50 $ |








