
SI4056DY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4056DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4056DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4056DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4056DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 49 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 11,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 5,7W (Tc) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4056DY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 23mohms à 15A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,8V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 29.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 900 pF @ 50 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2,5W (Ta), 5,7W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,99000 $ | 1,99 $ |
| 10 | 1,25300 $ | 12,53 $ |
| 100 | 0,82760 $ | 82,76 $ |
| 500 | 0,64480 $ | 322,40 $ |
| 1 000 | 0,58595 $ | 585,95 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,52223 $ | 1 305,57 $ |
| 5 000 | 0,48284 $ | 2 414,20 $ |
| 7 500 | 0,46278 $ | 3 470,85 $ |
| 12 500 | 0,44251 $ | 5 531,38 $ |











