
SI3476DV-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI3476DV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3476DV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3476DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3476DV-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 33 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 4,6 A (Tc) 2W (Ta), 3,6W (Tc) Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 80 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 93mohms à 3,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 7.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 195 pF @ 40 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2W (Ta), 3,6W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 6-TSOP | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,21000 $ | 1,21 $ |
| 10 | 0,75100 $ | 7,51 $ |
| 100 | 0,48600 $ | 48,60 $ |
| 500 | 0,37142 $ | 185,71 $ |
| 1 000 | 0,33449 $ | 334,49 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,28751 $ | 862,53 $ |
| 6 000 | 0,26385 $ | 1 583,10 $ |
| 9 000 | 0,25179 $ | 2 266,11 $ |
| 15 000 | 0,23824 $ | 3 573,60 $ |
| 21 000 | 0,23022 $ | 4 834,62 $ |
| 30 000 | 0,22357 $ | 6 707,10 $ |





