
SI3410DV-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI3410DV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3410DV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3410DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3410DV-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,1W (Tc) Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI3410DV-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1295 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta), 4,1W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur 6-TSOP |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 19,5mohms à 5A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,00000 $ | 2,00 $ |
| 10 | 1,25400 $ | 12,54 $ |
| 100 | 0,82580 $ | 82,58 $ |
| 500 | 0,64154 $ | 320,77 $ |
| 1 000 | 0,58224 $ | 582,24 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,50690 $ | 1 520,70 $ |
| 6 000 | 0,46897 $ | 2 813,82 $ |
| 9 000 | 0,44965 $ | 4 046,85 $ |
| 15 000 | 0,42794 $ | 6 419,10 $ |
| 21 000 | 0,41509 $ | 8 716,89 $ |
| 30 000 | 0,40427 $ | 12 128,10 $ |






