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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
MXP120A250FW-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-MXP120A250FW-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | MXP120A250FW-GE3 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 10,5 A (Tc) 56W (Tc) Trou traversant TO-247-3L |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 313mohms à 4A, 20V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 3,1V à 10mA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20.3 nC @ 18 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +22V, -10V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 447 pF @ 800 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 56W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 1200 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247-3L |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V, 20V | Boîtier |
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