
MXP120A080FW-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-MXP120A080FW-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | MXP120A080FW-GE3 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 29 A (Tc) 139W (Tc) Trou traversant TO-247-3L |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | MXP120A080FW-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 100mohms à 20A, 20V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 2,69V à 5mA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 47.3 nC @ 18 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +22V, -10V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1156 pF @ 800 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 139W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 1200 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247-3L |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V, 20V | Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 15,68000 $ | 15,68 $ |
| 10 | 12,24400 $ | 122,44 $ |
| 25 | 11,38440 $ | 284,61 $ |
| 100 | 10,43910 $ | 1 043,91 $ |
| 250 | 9,98852 $ | 2 497,13 $ |

