Canal N 60 V 2,5 A (Ta) 1,3W (Ta) Trou traversant 4-HVMDIP
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IRLD024PBF

Numéro de produit DigiKey
IRLD024PBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRLD024PBF
Description
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 2,5 A (Ta) 1,3W (Ta) Trou traversant 4-HVMDIP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRLD024PBF Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18 nC @ 5 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±10V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
870 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
1,3W (Ta)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
4-HVMDIP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4V, 5V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
100mohms à 1,5A, 5V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Obsolète
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