Name: IRFR210TRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFR210PBFTR-ND
Price: 3.19 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFR210TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFR210PBFTR-ND - Bande et bobine IRFR210PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFR210PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRFR210TRPBF
Description	MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	37 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 2,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFR210TRPBF Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.2 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 140 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 25W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,6 A (Tc)	Boîtier fournisseur DPAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 1,6A, 10V	Numéro de produit de base IRFR210