IRFIB5N65APBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Canal N 650 V 5,1 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-220-3
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IRFIB5N65APBF

Numéro de produit DigiKey
IRFIB5N65APBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRFIB5N65APBF
Description
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 5,1 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFIB5N65APBF Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
48 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1417 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
930mohms à 3,1A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (6)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SIHA6N65E-GE3Vishay Siliconix1 992742-SIHA6N65E-GE3CT-ND4,57000 $Recommandation fabricant
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.