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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IRFI640GPBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRFI640GPBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRFI640GPBF |
Description | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 31 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 9,8 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRFI640GPBF Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 40W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 200 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 5,9A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FQPF19N20 | onsemi | 0 | FQPF19N20-ND | 1,50572 $ | Similaire |
| FQPF19N20C | onsemi | 68 | FQPF19N20C-ND | 3,60000 $ | Similaire |
| IRF200B211 | Infineon Technologies | 113 | IRF200B211-ND | 3,43000 $ | Similaire |
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | 0 | 448-IRFI4227PBF-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| IRLS640A | onsemi | 0 | IRLS640AFS-ND | 1,25586 $ | Similaire |
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Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 7,53000 $ | 7,53 $ |
| 50 | 3,88380 $ | 194,19 $ |
| 100 | 3,53030 $ | 353,03 $ |
| 500 | 2,91108 $ | 1 455,54 $ |
| 1 000 | 2,71221 $ | 2 712,21 $ |
| 2 000 | 2,54512 $ | 5 090,24 $ |
| 5 000 | 2,50070 $ | 12 503,50 $ |
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