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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IRFD110PBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRFD110PBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRFD110PBF |
Description | MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 1 A (Ta) 1,3W (Ta) Trou traversant 4-HVMDIP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRFD110PBF Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 540mohms à 600mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 180 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 1,3W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | 4-HVMDIP | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
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Canada