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Canal N 500 V 8 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 500 V 8 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF840ASPBF

Numéro de produit DigiKey
IRF840ASPBF-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRF840ASPBF
Description
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 8 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF840ASPBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
850mohms à 4,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1018 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,1W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
IRF840
Questions et réponses sur les produits

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0 en stock
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Demande de notification de stock
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
16,37000 $6,37 $
503,24520 $162,26 $
1002,94370 $294,37 $
5002,41512 $1 207,56 $
1 0002,24538 $2 245,38 $
2 0002,17189 $4 343,78 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
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