Name: TW092V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW092V65CLQTR-ND
Price: 34.54 CAD
Availability: InStock

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TW092V65C,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TW092V65CLQTR-ND - Bande et bobine 264-TW092V65CLQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TW092V65C,LQ
Description	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 27 A (Tc) 111W (Tc) Montage en surface 4-DFN-EP (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	27 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	136mohms à 15A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 600µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	873 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	111W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	4-DFN-EP (8x8)
Boîtier	4-VSFN plot exposé

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2 500	20,14393 $	50 359,83 $

Conditionnement standard du fabricant

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