Name: TW092V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW092V65CLQTR-ND
Price: 36.98 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TW092V65C,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TW092V65CLQTR-ND - Bande et bobine 264-TW092V65CLQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TW092V65C,LQ
Description	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 27 A (Tc) 111W (Tc) Montage en surface 4-DFN-EP (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 600µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +25V, -10V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 873 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 111W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement 175°C
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 27 A (Tc)	Boîtier fournisseur 4-DFN-EP (8x8)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier 4-VSFN plot exposé
Rds On (max.) à Id, Vgs 136mohms à 15A, 18V