Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 4.56 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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TPM1R908QM,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Bande et bobine 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPM1R908QM,LQ
Description	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	26A (Ta), 238A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,9mohms à 70A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10500 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 250W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOP Advance (4,9x5,75)
Boîtier	8-PowerTDFN