Canal N 650 V 30 A (Tc) 111W (Tc) Trou traversant TO-247
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Canal N 650 V 30 A (Tc) 111W (Tc) Trou traversant TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

Numéro de produit DigiKey
264-TW083N65CS1F-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
TW083N65C,S1F
Description
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 30 A (Tc) 111W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 600µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
28 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+25V, -10V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
873 pF @ 400 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
111W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
175°C
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-247
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
113mohms à 15A, 18V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 0
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
127,66000 $27,66 $
3017,11400 $513,42 $
12014,80500 $1 776,60 $
51013,89725 $7 087,60 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
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