Name: TPH9R00CQH,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH9R00CQHLQTR-ND
Price: 4.5 CAD
Availability: InStock

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TPH9R00CQH,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPH9R00CQHLQTR-ND - Bande et bobine 264-TPH9R00CQHLQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPH9R00CQHLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPH9R00CQH,LQ
Description	UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 64 A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPH9R00CQH,LQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,3V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 44 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5400 pF @ 75 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 175°C
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 64 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 9mohms à 32A, 10V