TO-220-3
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TK7R0E08QM,S1X

Numéro de produit DigiKey
264-TK7R0E08QMS1X-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK7R0E08QM,S1X
Description
UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 80 V 64 A (Tc) 87W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TK7R0E08QM,S1X Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
U-MOSX-H
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
64 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
7mohms à 32A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2700 pF @ 40 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
87W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220
Boîtier
TO-220-3
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En stock: 108
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
13,25000 $3,25 $
501,37900 $68,95 $
1001,34840 $134,84 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.