Name: TK5R3E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK5R3E08QMS1X-ND
Price: 3.88 CAD
Availability: InStock

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TK5R3E08QM,S1X
Numéro de produit DigiKey	264-TK5R3E08QMS1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK5R3E08QM,S1X
Description	UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 120 A (Tc) 150W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK5R3E08QM,S1X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,3mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 700µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3980 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	150W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3

Questions et réponses sur les produits

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En stock: 68

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,88000 $	3,88 $
50	1,91040 $	95,52 $
100	1,71910 $	171,91 $
500	1,38346 $	691,73 $
1 000	1,27560 $	1 275,60 $
2 000	1,18492 $	2 369,84 $
5 000	1,17188 $	5 859,40 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.