Name: TK55S10N1,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK55S10N1LXHQTR-ND
Price: 3.31 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TK55S10N1,LXHQ
Numéro de produit DigiKey	264-TK55S10N1LXHQTR-ND - Bande et bobine 264-TK55S10N1LXHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK55S10N1LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK55S10N1,LXHQ
Description	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	74 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 55 A (Ta) 157W (Tc) Montage en surface DPAK+
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK55S10N1,LXHQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	55 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,5mohms à 27,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3280 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	157W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK+
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	TK55S10