Name: TK55S10N1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK55S10N1LQTR-ND
Price: 6.02 CAD
Availability: InStock

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TK55S10N1,LQ
Numéro de produit DigiKey	TK55S10N1LQTR-ND - Bande et bobine TK55S10N1LQCT-ND - Bande coupée (CT) TK55S10N1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK55S10N1,LQ
Description	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 55 A (Ta) 157W (Tc) Montage en surface DPAK+
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK55S10N1,LQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 500µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49 nC @ 10 V
Série U-MOSVIII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3280 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 157W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur DPAK+
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55 A (Ta)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TK55S10
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,5mohms à 27,5A, 10V