Name: TK2R9E10PL,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Price: 6.1 CAD
Availability: InStock

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TK2R9E10PL,S1X
Numéro de produit DigiKey	264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK2R9E10PL,S1X
Description	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 100 A (Ta) 306W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,9mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	161 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9500 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	306W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3

Questions et réponses sur les produits

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En stock: 50

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,10000 $	6,10 $
50	3,11680 $	155,84 $
100	2,82880 $	282,88 $
500	2,32382 $	1 161,91 $
1 000	2,16676 $	2 166,76 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.