TK125N60Z1,S1F
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TK28N65W,S1F

Numéro de produit DigiKey
TK28N65WS1F-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK28N65W,S1F
Description
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 27,6 A (Ta) 230W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TK28N65W,S1F Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSIV
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
27,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
110mohms à 13,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 1,6mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3000 pF @ 300 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
230W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
TK28N65
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 30
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
111,73000 $11,73 $
306,81633 $204,49 $
1205,73742 $688,49 $
5105,20359 $2 653,83 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.