Name: TK110P10PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK110P10PLRQTR-ND
Price: 2.58 CAD
Availability: InStock

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TK110P10PL,RQ
Numéro de produit DigiKey	264-TK110P10PLRQTR-ND - Bande et bobine 264-TK110P10PLRQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK110P10PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK110P10PL,RQ
Description	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 40 A (Tc) 75W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10,6mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 300µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2040 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	75W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	TK110P10