Name: GT100N12K
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT100N12KTR-ND
Price: 3.25 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

GT100N12K
Numéro de produit DigiKey	3141-GT100N12KTR-ND - Bande et bobine 3141-GT100N12KCT-ND - Bande coupée (CT) 3141-GT100N12KDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	GT100N12K
Description	N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 65 A (Tc) 75W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA
Fabricant Goford Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2911 pF @ 60 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 75W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 120 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 65 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 35A, 10V