TO-220-3
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TK110E65Z,S1X

Numéro de produit DigiKey
264-TK110E65ZS1X-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK110E65Z,S1X
Description
650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 24 A (Ta) 190W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
24 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
110mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1,02mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2250 pF @ 300 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
190W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220
Boîtier
TO-220-3
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 50
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
18,88000 $8,88 $
504,69940 $234,97 $
1004,29610 $429,61 $
5003,59388 $1 796,94 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.