Name: SSM6K809R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K809R,LFTR-ND
Price: 1.16 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SSM6K809R,LF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM6K809R,LFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM6K809R,LFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM6K809R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6K809R,LF
Description	SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 6 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface 6-TSOP-F
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	36mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	550 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,5W (Ta)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-TSOP-F
Boîtier	6-SMD, sorties plates
Numéro de produit de base	SSM6K809