6 A (Ta) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
114 159
En stock
1 : 0,43000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15198 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
6 A (Ta)
1,8V, 8V
17,6mohms à 6A, 8V
1V à 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
36 074
En stock
1 : 0,53000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10856 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
42mohms à 5A, 10V
1,2V à 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V, -6V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
52 725
En stock
1 : 0,55000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11321 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
42mohms à 5A, 10V
1,2V à 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
171 654
En stock
1 : 0,62000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13027 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,5V, 4,5V
29,8mohms à 3A, 4,5V
1V à 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
AO3422
AO3420
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
693 134
En stock
1 : 0,83000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15939 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
24mohms à 6A, 10V
1V à 1mA
8.8 nC @ 4.5 V
±12V
630 pF @ 10 V
-
1,4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variable
23 390
En stock
1 : 0,95000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,20937 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Ta)
4V, 10V
36mohms à 4A, 10V
2,5V à 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1,8W (Ta)
175°C
-
-
Montage en surface
UFM
3-SMD, broches plates
2DB1184Q-13
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
7 301
En stock
1 : 0,95000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,27871 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
68mohms à 12A, 10V
3V à 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2,12W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
137 034
En stock
1 : 1,03000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,23197 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Ta)
4V, 10V
36mohms à 5A, 10V
2,5V à 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1,2W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
41 074
En stock
1 : 1,28000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,30829 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
44mohms à 6A, 10V
2,5V à 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
426 pF @ 30 V
-
2,8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-DFN (2x2)
6-UDFN plot exposé
SG6858TZ
FDC606P
MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
onsemi
17 723
En stock
1 : 1,36000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,45462 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
6 A (Ta)
1,8V, 4,5V
26mohms à 6A, 4,5V
1,5V à 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1699 pF @ 6 V
-
1,6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SuperSOT™-6
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
8 PowerWDFN
NVTFS5116PLWFTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
onsemi
4 001
En stock
1 : 2,45000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,79860 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
52mohms à 7A, 10V
3V à 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 25 V
-
3,2W (Ta), 21W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
8-WDFN (3,3x3,3)
8-PowerWDFN
SI9407BDY-T1-GE3
SI4850EY-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Vishay Siliconix
2 727
En stock
1 : 2,54000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,08705 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
22mohms à 6A, 10V
3V à 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
-
-
1,7W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
9 269
En stock
1 : 4,55000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,40315 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
GaNFET (nitrure de gallium)
100 V
6 A (Ta)
5V
30mohms à 6A, 5V
2,5V à 1,2mA
2.2 nC @ 5 V
+6V, -4V
220 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
MATRICE
MATRICE
29 758
En stock
1 : 0,43000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10998 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
28mohms à 5A, 10V
2,5V à 100µA
3.4 nC @ 4.5 V
±20V
436 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
12 205
En stock
1 : 0,59000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11631 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,5V, 4,5V
29,8mohms à 3A, 4,5V
1V à 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
+6V, -8V
840 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
18 530
En stock
1 : 0,61000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12872 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,8V, 8V
22,1mohms à 6A, 8V
1V à 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
TSOT-26
DMG6402LVT-7
MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Diodes Incorporated
21 578
En stock
1 : 0,62000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10847 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
30mohms à 7A, 10V
2V à 250µA
11.4 nC @ 10 V
±20V
498 pF @ 15 V
-
1,75W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TSOT-26
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
SOT-23-3
DMN2040U-13
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
10 645
En stock
230 000
Usine
1 : 0,62000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,09943 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
2,5V, 4,5V
25mohms à 8,2A, 4,5V
1,2V à 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
667 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2040U-7
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
2 950
En stock
9 000
Usine
1 : 0,62000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13139 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
2,5V, 4,5V
25mohms à 8,2A, 4,5V
1,2V à 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
667 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20 485
En stock
1 : 0,64000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11011 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,8V, 4,5V
30,1mohms à 4A, 4,5V
1V à 1mA
16.6 nC @ 4.5 V
±10V
1030 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
7 415
En stock
1 : 0,66000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13559 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
38mohms à 4A, 10V
2,5V à 100µA
2.7 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
13 744
En stock
1 : 0,83000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,20937 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Ta)
4V, 10V
36mohms à 4A, 10V
2,5V à 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
2,5W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
6-UDFNB (2x2)
6-WDFN plot exposé
5 241
En stock
1 : 0,86000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15819 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
42mohms à 5A, 10V
1,2V à 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+6V, -12V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
TSOT-26
DMP2035UVT-7
MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Diodes Incorporated
54 158
En stock
1 : 0,87000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,16904 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,8V, 4,5V
35mohms à 4A, 4,5V
1,5V à 250µA
23.1 nC @ 4.5 V
±12V
2400 pF @ 10 V
-
1,2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TSOT-26
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
TL431BFDT-QR
PMV20ENR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
70 868
En stock
1 : 0,89000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19513 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
21mohms à 6A, 10V
2V à 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
510mW (Ta), 6,94W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 206

FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.