Name: SSM3K7002KF,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K7002KFLXHFTR-ND
Price: 0.52 CAD
Availability: InStock

Canal N 60 V 400mA (Ta) 270mW (Ta) Montage en surface S-mini

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SSM3K7002KF,LXHF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3K7002KFLXHFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM3K7002KFLXHFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM3K7002KFLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3K7002KF,LXHF
Description	SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 400mA (Ta) 270mW (Ta) Montage en surface S-mini
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 40 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 270mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 400mA (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur S-mini
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 100mA, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 250µA