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NDD02N60Z-1G est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
Similaire
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NDD02N60Z-1G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | NDD02N60Z-1GOS-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NDD02N60Z-1G |
Description | MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 2,2 A (Tc) 57W (Tc) Trou traversant IPAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 600 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 4,8ohms à 1A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4,5V à 50µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 10.1 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 274 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 57W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | IPAK | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
Stock de la marketplace : 369 185 Afficher
Non annulable/Non remboursable
Autres fournisseurs chez Digi-Key
369 185En stock
Expédié par Rochester Electronics, LLC
Canada