TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
IRFU5305PBF MOSFET P-CH 55V 31A IPAK Infineon Technologies	9 001 En stock	1 : 2,11000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	55 V	31 A (Tc)	10V	65mohms à 16A, 10V	4V à 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	IPAK (TO-251AA)	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRLU024NPBF MOSFET N-CH 55V 17A IPAK Infineon Technologies	37 617 En stock	1 : 2,36000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	55 V	17 A (Tc)	4V, 10V	65mohms à 10A, 10V	2V à 250µA	15 nC @ 5 V	±16V	480 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	IPAK (TO-251AA)	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
STD12NF06L-1 MOSFET N-CH 60V 12A IPAK STMicroelectronics	2 070 En stock	1 : 1,60000 $ Tube	STripFET™ II	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	12 A (Tc)	5V, 10V	100mohms à 6A, 10V	2V à 250µA	10 nC @ 5 V	±16V	350 pF @ 25 V	-	42,8W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	IPAK	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
SIHFU310-GE3 MOSFET N-CHANNEL 400V Vishay Siliconix	2 396 En stock	1 : 1,76000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	400 V	1,7 A (Tc)	10V	3,6ohms à 1A, 10V	4V à 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	170 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251AA	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRFU9024NPBF MOSFET P-CH 55V 11A IPAK Infineon Technologies	6 337 En stock	1 : 2,25000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	55 V	11 A (Tc)	10V	175mohms à 6,6A, 10V	4V à 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	38W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	IPAK (TO-251AA)	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRLU3410PBF MOSFET N-CH 100V 17A IPAK Infineon Technologies	5 418 En stock	1 : 2,65000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Date de dernière disponibilité	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	17 A (Tc)	4V, 10V	105mohms à 10A, 10V	2V à 250µA	34 nC @ 5 V	±16V	800 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	IPAK (TO-251AA)	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
STD2NC45-1 MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK STMicroelectronics	609 En stock	1 : 2,68000 $ Tube	SuperMESH™	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	450 V	1,5 A (Tc)	10V	4,5ohms à 500mA, 10V	3,7V à 250µA	7 nC @ 10 V	±30V	160 pF @ 25 V	-	30W (Tc)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251 (IPAK)	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
STD1NK60-1 MOSFET N-CH 600V 1A IPAK STMicroelectronics	740 En stock	1 : 2,70000 $ Tube	SuperMESH™	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	1 A (Tc)	10V	8,5ohms à 500mA, 10V	3,7V à 250µA	10 nC @ 10 V	±30V	156 pF @ 25 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	IPAK	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRLU014PBF MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA Vishay Siliconix	2 097 En stock	1 : 3,19000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	7,7 A (Tc)	4V, 5V	200mohms à 4,6A, 5V	2V à 250µA	8.4 nC @ 5 V	±10V	400 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251AA	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRFU014PBF MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA Vishay Siliconix	2 022 En stock	1 : 3,19000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	7,7 A (Tc)	10V	200mohms à 4,6A, 10V	4V à 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251AA	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRLU110PBF MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA Vishay Siliconix	4 806 En stock	1 : 3,36000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	4,3 A (Tc)	4V, 5V	540mohms à 2,6A, 5V	2V à 250µA	6.1 nC @ 5 V	±10V	250 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251AA	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRFU120PBF MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA Vishay Siliconix	2 630 En stock	1 : 3,40000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	7,7 A (Tc)	10V	270mohms à 4,6A, 10V	4V à 250µA	16 nC @ 10 V	±20V	360 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251AA	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRFU9014PBF MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA Vishay Siliconix	2 101 En stock	1 : 3,40000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	5,1 A (Tc)	10V	500mohms à 3,1A, 10V	4V à 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251AA	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
STU7NF25 MOSFET N-CH 250V 8A IPAK STMicroelectronics	2 087 En stock	1 : 3,43000 $ Tube	STripFET™ II	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	250 V	8 A (Tc)	10V	420mohms à 4A, 10V	4V à 250µA	16 nC @ 10 V	±20V	500 pF @ 25 V	-	72W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251 (IPAK)	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRFU9310PBF MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA Vishay Siliconix	1 335 En stock	1 : 3,79000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	400 V	1,8 A (Tc)	10V	7ohms à 1,1A, 10V	4V à 250µA	13 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 25 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251AA	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRFU3607PBF MOSFET N-CH 75V 56A IPAK Infineon Technologies	2 837 En stock	1 : 3,80000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	75 V	56 A (Tc)	10V	9mohms à 46A, 10V	4V à 100µA	84 nC @ 10 V	±20V	3070 pF @ 50 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	IPAK (TO-251AA)	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRFU024PBF MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA Vishay Siliconix	4 118 En stock	1 : 4,10000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	14 A (Tc)	10V	100mohms à 8,4A, 10V	4V à 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	640 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251AA	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRFU9024PBF MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA Vishay Siliconix	1 848 En stock	1 : 4,33000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	8,8 A (Tc)	10V	280mohms à 5,3A, 10V	4V à 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251AA	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IPU80R4K5P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3 Infineon Technologies	1 514 En stock	1 : 1,77000 $ Tube	CoolMOS™	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	800 V	1,5 A (Tc)	10V	4,5ohms à 400mA, 10V	3,5V à 200µA	4 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 500 V	-	13W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	PG-TO251-3-21	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IPU80R2K0P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3 Infineon Technologies	1 527 En stock	1 : 2,16000 $ Tube	CoolMOS™ P7	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	800 V	3 A (Tc)	10V	2ohms à 940mA, 10V	3,5V à 50µA	9 nC @ 10 V	±20V	175 pF @ 500 V	-	24W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	PG-TO251-3	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
TSM2NB60CH C5G MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251 Taiwan Semiconductor Corporation	9 987 En stock	1 : 2,19000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	2 A (Tc)	10V	4,4ohms à 1A, 10V	4,5V à 250µA	9.4 nC @ 10 V	±30V	249 pF @ 25 V	-	44W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251 (IPAK)	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
SIHFU9220-GE3 MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA Vishay Siliconix	3 033 En stock	1 : 2,39000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	200 V	3,6 A (Tc)	10V	1,5ohms à 2,2A, 10V	4V à 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	3400 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251AA	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
STU3LN80K5 MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK STMicroelectronics	2 948 En stock	1 : 2,86000 $ Tube	MDmesh™ K5	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	800 V	2 A (Tc)	10V	3,25ohms à 1A, 10V	5V à 100µA	2.63 nC @ 10 V	±30V	102 pF @ 100 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	IPAK (TO-251)	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IPU80R900P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3 Infineon Technologies	1 073 En stock	1 : 2,91000 $ Tube	CoolMOS™ P7	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	800 V	6 A (Tc)	10V	900mohms à 2,2A, 10V	3,5V à 110µA	15 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 500 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	PG-TO251-3	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
IRFU210PBF MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA Vishay Siliconix	6 240 En stock	1 : 3,19000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	200 V	2,6 A (Tc)	10V	1,5ohms à 1,6A, 10V	4V à 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-251AA	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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