STW45N60DM2AG est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

STW43N60DM2
STMicroelectronics
En stock: 530
Prix unitaire : 11,33000 $
Fiche technique

Similaire

AOK53S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 6,63704 $
Fiche technique

Similaire

FCH072N60F
onsemi
En stock: 19 337
Prix unitaire : 14,95000 $
Fiche technique

Similaire

IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
En stock: 1 394
Prix unitaire : 9,51000 $
Fiche technique

Similaire

IXFH46N65X2
IXYS
En stock: 4 137
Prix unitaire : 16,84000 $
Fiche technique

Similaire

IXFH50N60X
IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : 13,56467 $

Similaire

IXFR80N60P3
IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : 19,16237 $

Similaire

IXFX64N60P
IXYS
En stock: 649
Prix unitaire : 34,82000 $
Fiche technique

Similaire

IXFX64N60P3
IXYS
En stock: 300
Prix unitaire : 23,04000 $
Fiche technique

Similaire

IXFX80N60P3
IXYS
En stock: 196
Prix unitaire : 30,24000 $
Fiche technique

Similaire

IXKH47N60C
IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique

Similaire

SIHG44N65EF-GE3
Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 7,34054 $
Fiche technique

Similaire

SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
En stock: 658
Prix unitaire : 21,46000 $
Fiche technique

Similaire

TSM60NE069PW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 295
Prix unitaire : 17,08000 $
Fiche technique
Afficher et comparer tous les substituts
TO-247-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STW45N60DM2AG

Numéro de produit DigiKey
497-16132-5-ND
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
STW45N60DM2AG
Description
MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 34 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STW45N60DM2AG Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
MDmesh™ DM2
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
34 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
93mohms à 17A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2500 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-3
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW45
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

0 en stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
Demande de notification de stock
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
111,58000 $11,58 $
306,71100 $201,33 $
1205,64008 $676,81 $
5104,91910 $2 508,74 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.