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IXFH50N60X est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IXFH50N60X | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXFH50N60X-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXFH50N60X |
Description | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 50 A (Tc) 660W (Tc) Trou traversant TO-247 (IXTH) |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 4mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 116 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4660 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 660W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 73mohms à 25A, 10V |
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Substituts (10)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5 069 | 238-IXFH60N65X2-ND | 23,73000 $ | Recommandation fabricant |
| FCH070N60E | onsemi | 457 | FCH070N60EOS-ND | 13,94000 $ | Similaire |
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 803 | 448-IPW60R070CFD7XKSA1-ND | 13,32000 $ | Similaire |
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | 10 080 | 448-IPW60R080P7XKSA1-ND | 11,86000 $ | Similaire |
| SIHG47N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 1 000 | 742-SIHG47N65E-GE3-ND | 14,94000 $ | Similaire |
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