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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
STP185N55F3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-7513-5-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | STP185N55F3 |
Description | MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 56 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 55 V 120 A (Tc) 330W (Tc) Trou traversant TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | STP185N55F3 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6800 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 330W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 55 V | Boîtier fournisseur TO-220 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,8mohms à 60A, 10V |
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Substituts (14)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP038AN06A0 | onsemi | 483 | FDP038AN06A0-ND | 7,21000 $ | Similaire |
| FDP047AN08A0 | onsemi | 1 030 | FDP047AN08A0FS-ND | 6,81000 $ | Similaire |
| IPP100N06S2L05AKSA2 | Infineon Technologies | 374 | IPP100N06S2L05AKSA2-ND | 8,19000 $ | Similaire |
| IRF1404PBF | Infineon Technologies | 2 455 | IRF1404PBF-ND | 4,71000 $ | Similaire |
| IRF1404ZPBF | Infineon Technologies | 693 | IRF1404ZPBF-ND | 3,79000 $ | Similaire |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 4,76645 $ | 4 766,45 $ |
