STP160N75F3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Recommandation fabricant


STMicroelectronics
En stock: 43
Prix unitaire : 4,58000 $
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 493
Prix unitaire : 6,98000 $
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 405
Prix unitaire : 6,59000 $
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 3 381
Prix unitaire : 6,51000 $
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 760
Prix unitaire : 5,84000 $
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 4
Prix unitaire : 4,96000 $
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 447
Prix unitaire : 6,54000 $
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 6 118
Prix unitaire : 5,10000 $
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 3 012
Prix unitaire : 3,70000 $
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 90
Prix unitaire : 3,95000 $
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 13
Prix unitaire : 3,99000 $
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 1 922
Prix unitaire : 2,55000 $
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 326
Prix unitaire : 7,44000 $
Fiche technique
Canal N 75 V 120 A (Tc) 330W (Tc) Trou traversant TO-220
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 75 V 120 A (Tc) 330W (Tc) Trou traversant TO-220
Motor Control in Electric Vehicles

STP160N75F3

Numéro de produit DigiKey
497-7508-5-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
STP160N75F3
Description
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Référence client
Description détaillée
Canal N 75 V 120 A (Tc) 330W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STP160N75F3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4mohms à 60A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6750 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
330W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.