Canal N 600 V 10 A (Tc) 110W (Tc) Trou traversant TO-220
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STP11N60DM2

Numéro de produit DigiKey
497-16932-ND
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
STP11N60DM2
Description
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 10 A (Tc) 110W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STP11N60DM2 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
MDmesh™ DM2
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
420mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
614 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP11
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 280
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Date de dernière disponibilité : 2026-09-10
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
13,71000 $3,71 $
501,80760 $90,38 $
1001,62310 $162,31 $
5001,29924 $649,62 $
1 0001,19515 $1 195,15 $
2 0001,10763 $2 215,26 $
5 0001,03917 $5 195,85 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.