STFU16N65M2 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique


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En stock: 1 023
Prix unitaire : 4,07000 $
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Toshiba Semiconductor and Storage
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Fiche technique
Canal N 650 V 11 A (Tc) 25W (Tc) Trou traversant TO-220FP
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STFU16N65M2

Numéro de produit DigiKey
497-STFU16N65M2-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
STFU16N65M2
Description
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 11 A (Tc) 25W (Tc) Trou traversant TO-220FP
Modèles EDA/CAO
STFU16N65M2 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
360mohms à 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
718 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220FP
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.