Name: SPA11N65C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPA11N65C3XKSA1-ND
Price: 4.47 CAD
Availability: InStock

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SPA11N65C3XKSA1
Numéro de produit DigiKey	SPA11N65C3XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPA11N65C3XKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 11 A (Tc) 33W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-31
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SPA11N65C3XKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	380mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,9V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1200 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	33W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3-31
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	SPA11N65

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En stock: 495

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	4,47000 $	4,47 $
50	2,22860 $	111,43 $
100	2,01080 $	201,08 $
500	1,62878 $	814,39 $
1 000	1,50604 $	1 506,04 $
2 000	1,42396 $	2 847,92 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.