7,5 A (Tc) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
SIR401DP-T1-GE3
SIR698DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
351
En stock
1 : 2,25000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,77177 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
7,5 A (Tc)
6V, 10V
195mohms à 2,5A, 10V
3,5V à 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
210 pF @ 50 V
-
3,7W (Ta), 23W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252 D-Pak Top
DMN10H220LK3-13
MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Diodes Incorporated
3 749
En stock
15 000
Usine
1 : 1,04000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,22109 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
7,5 A (Tc)
4,5V, 10V
220mohms à 2A, 10V
2,5V à 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
384 pF @ 25 V
-
18,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
BA17818FP-E2
RD3S075CNTL1
MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
Rohm Semiconductor
3 214
En stock
1 : 3,64000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,19828 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
190 V
7,5 A (Tc)
4V, 10V
336mohms à 3,8A, 10V
2,5V à 1mA
30 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
8-SOIC
STS7NF60L
MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO
STMicroelectronics
7 195
En stock
1 : 3,73000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,21000 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
7,5 A (Tc)
5V, 10V
19,5mohms à 3,5A, 10V
1V à 250µA
34 nC @ 4.5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
2,5W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
262
En stock
1 : 19,08000 $
Bande coupée (CT)
250 : 11,69464 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
GaNFET (nitrure de gallium)
650 V
7,5 A (Tc)
6V
260mohms à 2,25A, 6V
2,6V à 1,75mA
1.6 nC @ 6 V
+7V, -10V
60 pF @ 400 V
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
-
3-SMD, sans plomb
PowerPAK-SC-70W-6L-Single_Top
SQA413CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Vishay Siliconix
7 433
En stock
1 : 0,83000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,22696 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
7,5 A (Tc)
2,5V, 4,5V
38mohms à 4,5A, 4,5V
1,3V à 250µA
16 nC @ 4.5 V
±12V
1350 pF @ 10 V
-
13,6W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface, joints de brasure visibles
PowerPAK®SC-70W-6
PowerPAK® SC-70-6
DPAK
STD10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
STMicroelectronics
4 314
En stock
1 : 2,61000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,86649 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
7,5 A (Tc)
10V
600mohms à 3A, 10V
4V à 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
STD5NM50AG
STD5NM50AG
MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
STMicroelectronics
2 866
En stock
1 : 2,90000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,18973 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
500 V
7,5 A (Tc)
10V
800mohms à 2,5A, 10V
5V à 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
415 pF @ 100 V
-
100W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-263 (D2PAK)
STB10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
STMicroelectronics
500
En stock
1 : 3,70000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,28431 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
7,5 A (Tc)
10V
600mohms à 3A, 10V
4V à 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-220FP
STP9NK70ZFP
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220FP
STMicroelectronics
1 894
En stock
1 : 5,32000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
700 V
7,5 A (Tc)
10V
1,2ohms à 4A, 10V
4,5V à 100µA
68 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 25 V
-
35W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220FP
Boîtier complet TO-220-3
PG-TO220-3-FP
IPA50R280CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220
Infineon Technologies
144
En stock
1 : 2,78000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
500 V
7,5 A (Tc)
13V
280mohms à 4,2A, 13V
3,5V à 350µA
32.6 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 100 V
-
30,4W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
PG-TO220-3-FP
Boîtier complet TO-220-3
TO-220FP
STF11N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
STMicroelectronics
978
En stock
1 : 3,19000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
7,5 A (Tc)
10V
595mohms à 3,75A, 10V
4,75V à 250µA
12.4 nC @ 10 V
±25V
390 pF @ 100 V
-
25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220FP
Boîtier complet TO-220-3
8 PowerVDFN
STL16N65M2
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
2 515
En stock
1 : 4,58000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,40254 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
7,5 A (Tc)
10V
395mohms à 3,5A, 10V
4V à 250µA
19.5 nC @ 10 V
±25V
718 pF @ 100 V
-
56W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerFlat™ (5x6) HV
8-PowerVDFN
405
En stock
1 : 9,69000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1700 V
7,5 A (Tc)
12V, 15V
580mohms à 1,5A, 15V
5,7V à 1,7mA
8.1 nC @ 12 V
15V, 12V
337 pF @ 1000 V
-
88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
PG-TO247-3-U04
TO-247-3
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
SFS9Z24
P-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
3 485
Marketplace
Non disponible
Non disponible dans la devise sélectionnée
-
En vrac
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
7,5 A (Tc)
10V
280mohms à 3,8A, 10V
4V à 250µA
19 nC @ 10 V
±30V
600 pF @ 25 V
-
29W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220F
Boîtier complet TO-220-3
TO-220-3
STFH10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
STMicroelectronics
1 648
En stock
1 : 1,04000 $
Tube
Tube
Date de dernière disponibilité
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
7,5 A (Tc)
10V
600mohms à 9A, 10V
4V à 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220FPAB
Boîtier complet TO-220-3
DG447DV-T1-E3
SQ3481EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Vishay Siliconix
4 087
En stock
1 : 1,60000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,37897 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Obsolète
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
7,5 A (Tc)
4,5V, 10V
43mohms à 5,3A, 10V
2,5V à 250µA
23.5 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 15 V
-
4W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
6-TSOP
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQPF8N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3
Fairchild Semiconductor
1 924
Marketplace
Non disponible
Non disponible dans la devise sélectionnée
Tube
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
7,5 A (Tc)
10V
1,2ohms à 3,75A, 10V
4V à 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
1255 pF @ 25 V
-
48W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220F-3 (Y-Forming)
TO-220-3 boîtier complet, broches formées
TO-220-3
2SK4088LS-1E
MOSFET N-CH 650V 7.5A TO220F-3FS
onsemi
0
En stock
1 097
Marketplace
Obsolète
-
Tube
Tube
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
7,5 A (Tc)
10V
850mohms à 5,5A, 10V
-
37.6 nC @ 10 V
±30V
1000 pF @ 30 V
-
2W (Ta), 37W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220F-3FS
Boîtier complet TO-220-3
TO-262-3 Long Leads
FQI8N60CTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
onsemi
0
En stock
36 810
Marketplace
1 000 : 1,60169 $
Tube
En vrac
Tube
Tube
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
7,5 A (Tc)
10V
1,2ohms à 3,75A, 10V
4V à 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
1255 pF @ 25 V
-
3,13W (Ta), 147W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-262 (I2PAK)
TO-262-3 broches longues, I2PAK, TO-262AA
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQP8N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Fairchild Semiconductor
5 143
Marketplace
Non disponible
Non disponible dans la devise sélectionnée
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
7,5 A (Tc)
10V
1,2ohms à 3,75A, 10V
4V à 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
1255 pF @ 25 V
-
147W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220-3
TO-220-3
FGPF70N30
2SK4088LS
N-CHANNEL MOSFET
Sanyo
3 482
Marketplace
Non disponible
Non disponible dans la devise sélectionnée
-
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
7,5 A (Tc)
10V
850mohms à 5,5A, 10V
-
37.6 nC @ 10 V
±30V
1 pF @ 30 V
-
2W (Ta), 37W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220FI(LS)
Boîtier complet TO-220-3
FGPF70N30
2SK4088LS
MOSFET N-CH 650V 7.5A TO220FI
onsemi
0
En stock
624
Marketplace
200 : 4,07675 $
Sac
-
Sac
Sac
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
7,5 A (Tc)
10V
850mohms à 5,5A, 10V
-
37.6 nC @ 10 V
±30V
1000 pF @ 30 V
-
2W (Ta), 37W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220FI(LS)
Boîtier complet TO-220-3
AUIRFSL6535
FQI8N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Fairchild Semiconductor
6 985
Marketplace
Non disponible
Non disponible dans la devise sélectionnée
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
7,5 A (Tc)
10V
1,2ohms à 3,75A, 10V
4V à 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
1255 pF @ 25 V
-
3,13W (Ta), 147W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
I2PAK (TO-262)
TO-262-3 broches longues, I2PAK, TO-262AA
TO-220-3
STP10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
STMicroelectronics
678
En stock
1 : 1,07000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
7,5 A (Tc)
10V
600mohms à 3A, 10V
4V à 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220
TO-220-3
Affichage de
sur 58

7,5 A (Tc) FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.