Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 43.46 CAD
Availability: InStock

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SCTL90N65G2V
Numéro de produit DigiKey	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Bande et bobine 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Bande coupée (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTL90N65G2V
Description	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 40 A (Tc) 935W (Tc) Montage en surface PowerFlat™ (8x8) HV
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCTL90N65G2V Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	24mohms à 40A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3380 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	935W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerFlat™ (8x8) HV
Boîtier	4-PowerVDFN