Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 48.05 CAD
Availability: InStock

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SCTL90N65G2V
Numéro de produit DigiKey	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Bande et bobine 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Bande coupée (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTL90N65G2V
Description	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 40 A (Tc) 935W (Tc) Montage en surface PowerFlat™ (8x8) HV
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCTL90N65G2V Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1mA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 157 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +22V, -10V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3380 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 935W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier 4-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 40A, 18V