Name: SCTL35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL35N65G2VTR-ND
Price: 26.41 CAD
Availability: InStock

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SCTL35N65G2V
Numéro de produit DigiKey	497-SCTL35N65G2VTR-ND - Bande et bobine 497-SCTL35N65G2VCT-ND - Bande coupée (CT) 497-SCTL35N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTL35N65G2V
Description	TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 40 A (Tc) 417W (Tc) Montage en surface PowerFlat™ (8x8) HV
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCTL35N65G2V Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 73 nC @ 20 V
Fabricant STMicroelectronics	Vgs (max.) +22V, -10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1370 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 417W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Tc)	Boîtier 4-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 67mohms à 20A, 20V	Numéro de produit de base SCTL35
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1mA