
SCT040W65G3-4 | |
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Numéro de produit DigiKey | 497-SCT040W65G3-4-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SCT040W65G3-4 |
Description | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 30 A (Tc) 240W (Tc) Trou traversant TO-247-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,2V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 37.5 nC @ 18 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +18V, -5V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 860 pF @ 400 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 240W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247-4 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 63mohms à 20A, 18V | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 17,91000 $ | 17,91 $ |
| 30 | 10,66900 $ | 320,07 $ |
| 120 | 9,08142 $ | 1 089,77 $ |
| 510 | 7,91884 $ | 4 038,61 $ |
| 1 020 | 7,90253 $ | 8 060,58 $ |

