Équivalent paramétrique
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Similaire
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SCT020H120G3AG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-SCT020H120G3AG-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SCT020H120G3AG |
Description | SICFET N-CH 1200V 100A H2PAK-7 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 21 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) Montage en surface H2PAK-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,2V à 2,3mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 121 nC @ 18 V |
Série | Vgs (max.) +18V, -5V |
Conditionnement En vrac | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3465 pF @ 800 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 555W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 1200 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V | Boîtier fournisseur H2PAK-7 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 28mohms à 50A, 18V | Boîtier |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT019H120G3AG | STMicroelectronics | 0 | 497-SCT019H120G3AG-ND | 17,83532 $ | Équivalent paramétrique |
| SCT020HU120G3AG | STMicroelectronics | 0 | 497-SCT020HU120G3AGCT-ND | 33,11000 $ | Équivalent paramétrique |
| DMWSH120H28SCT7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H28SCT7-ND | 22,62000 $ | Similaire |
| DMWSH120H28SCT7Q | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H28SCT7Q-ND | 37,35460 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 18,73658 $ | 18 736,58 $ |



