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Équivalent paramétrique


STMicroelectronics
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Fiche technique

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STMicroelectronics
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Fiche technique
Canal N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) Montage en surface H2PAK-7
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Canal N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) Montage en surface H2PAK-7
H2PAK-7

SCT020H120G3AG

Numéro de produit DigiKey
497-SCT020H120G3AG-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCT020H120G3AG
Description
SICFET N-CH 1200V 100A H2PAK-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
21 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) Montage en surface H2PAK-7
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
28mohms à 50A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4,2V à 2,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
121 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+18V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3465 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
555W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
H2PAK-7
Boîtier
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En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
1 00015,33324 $15 333,24 $
Conditionnement standard du fabricant