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Équivalent paramétrique


STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 18,73658 $
Fiche technique

Équivalent paramétrique


STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 33,11000 $
Fiche technique
Canal N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) Montage en surface HU3PAK
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SCT019H120G3AG

Numéro de produit DigiKey
497-SCT019H120G3AG-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCT019H120G3AG
Description
SIC MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
21 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) Montage en surface HU3PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SCT019H120G3AG Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
121 nC @ 18 V
Fabricant
Vgs (max.)
+18V, -5V
Conditionnement
En vrac
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3465 pF @ 800 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
555W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
Grade
Automobile
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Qualification
AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Type de montage
Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 18V
Boîtier fournisseur
HU3PAK
Rds On (max.) à Id, Vgs
28mohms à 50A, 18V
Boîtier
Vgs(th) (max.) à Id
4,2V à 2,3mA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SCT020H120G3AGSTMicroelectronics0497-SCT020H120G3AG-ND18,73658 $Équivalent paramétrique
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronics0497-SCT020HU120G3AGCT-ND33,11000 $Équivalent paramétrique
Disponible sur commande
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En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
1 00017,83532 $17 835,32 $
Conditionnement standard du fabricant