
S2M0080120K | |
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Numéro de produit DigiKey | 1655-S2M0080120K-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | S2M0080120K |
Description | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 41 A (Tc) 231W (Tc) Trou traversant TO-247-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 20V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 100mohms à 20A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 10mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 54 nC @ 20 V | |
Vgs (max.) | +25V, -10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1324 pF @ 1000 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 231W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | TO-247-4 | |
Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 11,77000 $ | 11,77 $ |
| 30 | 6,83067 $ | 204,92 $ |
| 120 | 5,74392 $ | 689,27 $ |
| 510 | 5,02641 $ | 2 563,47 $ |






