TO-263-7
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TO-263-7
TO-263-7

S3M0040120J

Numéro de produit DigiKey
1655-S3M0040120J-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
S3M0040120J
Description
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
12 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 76 A (Tc) 600W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
52mohms à 40A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 16mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
143 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+20V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2844 pF @ 1000 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
600W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263-7
Boîtier
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En stock: 300
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
116,89000 $16,89 $
509,48800 $474,40 $
1008,77620 $877,62 $
5008,07740 $4 038,70 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.