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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
GCMX003A120S3B1-N | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1560-GCMX003A120S3B1-N-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | GCMX003A120S3B1-N |
Description | 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 5,5mohms à 300A, 20V |
Fabricant SemiQ | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 120mA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1408nC à 20V |
Conditionnement Boîte | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 41400pF à 800V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 2113W (Tc) |
Technologies Carbure de silicium (SiC) | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (demi-pont) | Type de montage Montage sur châssis |
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Boîtier Module |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 625A (Tc) |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Boîte
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 393,40000 $ | 393,40 $ |
| 15 | 354,14067 $ | 5 312,11 $ |
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