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MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 608A (Tc) 1705W (Tc) Montage sur châssis
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GCMX2P3B120S3B1-N

Numéro de produit DigiKey
1560-GCMX2P3B120S3B1-N-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
GCMX2P3B120S3B1-N
Description
GEN3 1200V 2.4M SIC 62MM HALF BR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
6 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 608A (Tc) 1705W (Tc) Montage sur châssis
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
3mohms à 300A, 18V
Fabricant
SemiQ
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 120mA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1566nC à 18V
Conditionnement
Boîte
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
42900pF à 800V
Statut du composant
Actif
Puissance - Max.
1705W (Tc)
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Type de montage
Montage sur châssis
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Boîtier
Module
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
608A (Tc)
Classifications environnementales et d'exportation
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Ressources supplémentaires
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Boîte
Quantité Prix unitaire Prix total
1258,79000 $258,79 $
15217,38200 $3 260,73 $
Conditionnement standard du fabricant