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MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 190A 20mW Trou traversant PG-MDIP-11-1
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FF06MR12A04MA2AKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-FF06MR12A04MA2AKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FF06MR12A04MA2AKSA1
Description
HYBRIDPACK DSC S MODULE WITH SIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
53 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 190A 20mW Trou traversant PG-MDIP-11-1
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FF06MR12A04MA2AKSA1 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,55V à 60mA
Fabricant
Infineon Technologies
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
420nC à 18V
Série
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
10100pF à 850V
Conditionnement
Tube
Puissance - Max.
20mW
Statut du composant
Actif
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Grade
Automobile
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Qualification
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
190A
Boîtier
Module 11-PowerDIP (2,091po, 53,10mm)
Rds On (max.) à Id, Vgs
5,56mohms à 190A, 18V
Boîtier fournisseur
PG-MDIP-11-1
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 101
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1230,70000 $230,70 $
12193,55500 $2 322,66 $
36183,78222 $6 616,16 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.