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RS1E200BNTB | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RS1E200BNTBTR-ND - Bande et bobine RS1E200BNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RS1E200BNTB |
Description | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Montage en surface 8-HSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | RS1E200BNTB Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 3,9mohms à 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 1mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 59 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 3100 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 3W (Ta), 25W (Tc) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-HSOP | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,48798 $ | 1 219,95 $ |
| 5 000 | 0,45065 $ | 2 253,25 $ |
| 7 500 | 0,43163 $ | 3 237,22 $ |
| 12 500 | 0,41026 $ | 5 128,25 $ |
| 17 500 | 0,40812 $ | 7 142,10 $ |





